當(dāng)前位置:首頁檢測中心銀河文庫 │ GB/T 18210-2000晶體硅光伏(PV)方陣I-V特性的現(xiàn)場測量

GB/T 18210-2000晶體硅光伏(PV)方陣I-V特性的現(xiàn)場測量

  • 瀏覽次數(shù):6627次
  • 發(fā)布時(shí)間:2013/10/17 15:01:38
  • 作者:銀河電氣

  《GB/T 18210-2000晶體硅光伏(PV)方陣I-V特性的現(xiàn)場測量》介紹兩種可以采用的現(xiàn)場測量方法,兩種方法使用GB/T6495.4給出的程序,對測得的光伏I-V特性進(jìn)行溫度和輻照度修正:
  1、方法A由直接的溫度測量確定方陣有效結(jié)溫TJ
  2、方法B由不同輻照度下記錄到的子方陣開路電壓Voc數(shù)據(jù)推導(dǎo)出有效結(jié)溫TJ


Copyright 2010-2017 m.myyfit.com, All Rights Reserved 湖南銀河電氣有限公司 版權(quán)所有 湘ICP備09002592號-5