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《GB/T 18210-2000晶體硅光伏(PV)方陣I-V特性的現(xiàn)場測量》介紹兩種可以采用的現(xiàn)場測量方法,兩種方法使用GB/T6495.4給出的程序,對測得的光伏I-V特性進(jìn)行溫度和輻照度修正: 1、方法A由直接的溫度測量確定方陣有效結(jié)溫TJ; 2、方法B由不同輻照度下記錄到的子方陣開路電壓Voc數(shù)據(jù)推導(dǎo)出有效結(jié)溫TJ。
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